Как выбрать оперативную память для компьютера и ноутбука: важные параметры и лучшие производители озу

Классификация и виды SDRAM в современных компьютерах

Наиболее распространенным подвидом памяти DRAM является синхронная память SDRAM. Первым подтипом памяти SDRAM является DDR SDRAM. Модули оперативной памяти DDR SDRAM появились в конце 1990-х. В то время были популярны компьютеры на базе процессов Pentium. На изображении ниже показана планка формата DDR PC-3200 SODIMM на 512 мегабайт от фирмы GOODRAM.

Приставка SODIMM означает, что память предназначена для ноутбука. В 2003 году на смену DDR SDRAM пришла DDR2 SDRAM. Эта память использовалась в современных компьютерах того времени вплоть до 2010 года, пока ее не вытеснила память следующего поколения. На изображении ниже показана планка формата DDR2 PC2-6400 на 2 гигабайта от фирмы GOODRAM. Каждое поколение памяти демонстрирует все большую скорость обмена данными.

На смену формата DDR2 SDRAM в 2007 году пришел еще более быстрый DDR3 SDRAM. Этот формат по сегодняшний день остается самым популярным, хоть и в спину ему дышит новый формат. Формат DDR3 SDRAM сейчас применяется не только в современных компьютерах, но также в смартфонах, планшетных ПК и бюджетных видеокартах. Также память DDR3 SDRAM используется в игровой приставке Xbox One восьмого поколения от Microsoft. В этой приставке используется 8 гигабайт ОЗУ формата DDR3 SDRAM. На изображении ниже показана память формата DDR3 PC3-10600 на 4 гигабайта от фирмы GOODRAM.

В ближайшее время тип памяти DDR3 SDRAM заменит новый тип DDR4 SDRAM. После чего DDR3 SDRAM ждет судьба прошлых поколений. Массовый выпуск памяти DDR4 SDRAM начался во втором квартале 2014 года, и она уже используется на материнских платах с процессорным разъемом Socket 1151. На изображении ниже показана планка формата DDR4 PC4-17000 на 4 гигабайта от фирмы GOODRAM.

Пропускная способность DDR4 SDRAM может достигать 25 600 Мб/c.

Общее

ОЗУ (оперативное запоминающее устройство), оно же RAM («Random Access Memory» — память с произвольным доступом), представляет собой область временного хранения данных, при помощи которой обеспечивается функционирование программного обеспечения. Физически, оперативная память в системе представляет собой набор микросхем или модулей (содержащих микросхемы), которые обычно подключаются к системной плате.

В процессе работы память выступает в качестве временного буфера (в ней хранятся данные и запущенные программы) между дисковыми накопителями и процессором, благодаря значительно большей скорости чтения и записи данных.

Примечание.Совсем новички часто путают оперативную память с памятью жесткого диска (ПЗУ — постоянное запоминающее устройство), чего делать не нужно, т.к. это совершенно разные виды памяти. Оперативная память (по типу является динамической — Dynamic RAM), в отличие от постоянной — энергозависима, т.е. для хранения данных ей необходима электроэнергия, и при ее отключении (выключение компьютера) данные удаляются. Пример энергонезависимой памяти ПЗУ — флэш-память, в которой электричество используется лишь для записи и чтения, в то время как для самого хранения данных источник питания не нужен.

По своей структуре память напоминает пчелиные соты, т.е. состоит из ячеек, каждая из которых предназначена для хранения мёда определенного объема данных, как правило, одного или четырех бит. Каждая ячейка оной имеет свой уникальный «домашний» адрес, который делится на два компонента – адрес горизонтальной строки (Row) и вертикального столбца (Column).

Ячейки представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные.

Для передачи на микросхему памяти адреса строки служит некий сигнал, который зовется RAS (Row Address Strobe), а для адреса столбца — сигнал CAS (Column Address Strobe).

С этим разобрались, идем дальше. Затронем еще один немаловажный вопрос:

DIMM, SDRAM, DDR — что это?!

Эти аббревиатуры, используемые для маркировки планок оперативной памяти и означающие используемую технологию производства и тип используемых микросхем.

DIMM — это двухсторонняя плата, где контакты к ячейкам RAM расположены по обе стороны модуля — Dual In-Line Memory Module. Они пришли на смену SIMM, который на сегодняшний день не используются. Так же были модули RIMM, которые пыталась продвигать компания Intel вместе со своим процессором Pentium 4, но они так и не прижились.

SDRAM — это вид ОЗУ, который на сегодняшний день используется на всех компьютерах и ноутбуках. Расшифровывается как «Synchronous Dynamic Random Access Memory», что в переводе на великий и могучий означает: «синхронная динамическая память с произвольным доступом».

DDR, DDR2, DDR3, DDR4 — это тип используемых планок SDRAM. Под аббревиатурой подразумевается «Double Data Rate», то есть «Удвоенная скорость передачи данных». На сегодняшний день насчитывается аж 4 типа, самый современный из них на сегодняшний день — DDR4 с частотой 2800 МГц (PC22400). Этот тип только-только появился на рынке, но планируется, что к концу 2016 года полностью займёт доминирующее положение на рынке.

GDDR — тип оперативной памяти ОЗУ для видеокарт, отличающаяся от обычных ДДР, используемых на компьютерах и ноутбуках, более высокой частотой работы, а так же более низким энергопотреблением и тепловыделением. Самый современных тип ОЗУ для видеокарт — GDDR5.

Как узнать сколько оперативной памяти стоит на компьютере или ноутбуке?!

Чтобы посмотреть объём установленной оперативной памяти на компьютере или ноутбуке — совершенно не обязательно его разбирать. Эту информацию можно посмотреть в информации от операционной системы. В частности в Windows 7, 8 или Виндовс 10 достаточно просто зайти в «Свойства системы» через «Панель инструментов» или нажать комбинацию клавиш Win+Pause. Откроется вот такое окно:

В разделе «Система» смотрим строчку «Установленная память (ОЗУ)», в ней как раз и указано сколько стоит оперативной памяти.

Если Вам нужно узнать более продвинутую информацию — сколько модулей ОЗУ установлено, какой объём, тайминги и частота планок — воспользуйтесь одной из специальных диагностических утилит — Aida64, Everest, SiSoft Sandra и т.п. Интерефейс у них примерно похожий. Заходим в сводку информации по установленному оборудованию «Summary» и смотрим в раздел «Материнская плата» (Motherboard), строчка «Системная память» (System Memory):

Как увеличить объём оперативной памяти?!

Здесь ответ очень просто — идём в магазин и покупаем. Но перед тем, как отправляться в путь — запустите одну из указанных выше программ и посмотрите сколько модулей уже установлено в материнскую плату и есть ли свободные места. Затем, перепишите название, марку, модель и частоту используемых планок ОЗУ. Ну или просто сфотографируйте окно с информацией на телефон и покажите продавцу-консультанту в магазине. Далее он уже предложит выбор доступного товара.

Физические принципы

Эта классификация повторяет соответствующую классификацию ЗУ.

Вид Среда, хранящая информацию Принцип чтения/записи Примеры
Полупроводниковая память (англ. semiconductor storage) сформированные в полупроводнике элементы, имеющие 2 устойчивых состояния с различными электрическими параметрами включение в электрическую цепь SRAM, DRAM, EEPROM, Flash-память
Магнитная память (англ. magnetic storage) Намагниченность участков ферромагнитного материала (доменов) Магнитная запись Магнитная лента, магнитный диск, магнитная карта
Оптическая память (англ. optical storage, laser storage) последовательность участков (питов), отражающих или рассеивающих свет чтение: отражение либо рассеяние лазерного луча от питов;запись: точечный нагрев, изменяющий свойства отражающего слоя CD-диск, DVD, Blu-ray, HD DVD
Магнитооптическая память (англ. magnetooptics storage) показатель преломления участков информационного слоя чтение: преломление и отражение луча лазера запись: точечный нагрев и электромагнитный импульс CD-MO, Fujitsu DynaMO
Магниторезистивная память с произвольным доступом (англ. Spin Torque Transfer Random Access Memory, STT-RAM) магнитные домены В STT-RAM электрическое поле воздействует на микромагниты, заставляя их менять направление магнитного поля (спин). В свою очередь направление магнитного поля (справа — налево или сверху — вниз) вызывает изменение в сопротивлении (логические 0 и 1). MRAM
Память с изменением фазового состояния молекулы халькогенида использует изменение фазового состояния халькогенида — вещества, способного под воздействием нагрева и электрических полей переходить из непроводящего аморфного состояния (1) в проводящее кристаллическое (0). В ней применены диоды вертикального типа и трехмерная кристаллическая структура. Не требует предварительного удаления старых данных перед записью новых, не требует электропитания для сохранения своего состояния PRAM
Ёмкостная память (англ. capacitor storage) молекулы халькогенида (chalcogenide) подача электрического напряжения на обкладки DRAM

Разновидности полупроводниковой памяти

  • NOR
  • NAND
  • NVRAM
  • SRAM
  • DRAM
  • FB-DIMM
  • EEPROM
  • Flash

Разновидности магнитной памяти

  • Память на магнитной ленте (англ. magnetic tape memory) — представляет собой пластиковую узкую ленту с магнитным покрытием и механизм с блоком головок записи-воспроизведения (БГЗВ). Лента намотана на бобину, и последовательно протягивается лентопротяжным механизмом (ЛПМ) возле БГЗВ. Запись производится перемагничиванием частиц магнитного слоя ленты при прохождении их возле зазора головки записи. Считывание записанной информации происходит при прохождении намагниченного ранее участка плёнки возле зазора головки воспроизведения.
  • Память на магнитных дисках (англ. magnetic disk memory) — представляет собой круглый пластиковый диск с магнитным покрытием и механизм с БГЗВ. Данные при этом наносятся радиально, при вращении диска вокруг своей оси и радиальном сдвиге БГЗВ на шаг головки. Запись производится перемагничиванием частиц магнитного слоя диска при прохождении их возле зазора головки записи. Считывание записанной информации происходит при прохождении намагниченного ранее участка возле зазора головки воспроизведения.
  • Память на магнитной проволоке (англ. plated wire memory) Использовалась в магнитофонах до магнитной ленты. В настоящее время по этому принципу конструируется большинство авиационных т. н. «чёрных ящиков» — данный носитель имеет наиболее высокую устойчивость к внешним воздействиям и высокую сохранность даже при повреждениях в аварийных ситуациях.
  • Ферритовая память (англ. core storage) — ячейка представляет собой ферритовый сердечник, изменение состояния которого (перемагничивание) происходит при пропускании тока через намотанный на него проводник. В настоящее время имеет ограниченное применение, в основном в военной сфере.

Разновидности оптической памяти

Фазоинверсная память (англ. Phase Change Rewritable storage, PCR) — оптическая память, в которой рабочий (отражающий) слой выполнен из полимерного вещества, способного при нагреве менять фазовое состояние (кристаллическоеаморфное) и отражающие характеристики в зависимости от режима нагрева. Применяется в перезаписываемых оптических дисках (CD-RW, DVD-RW).

Синхронное динамическое ОЗУ с двойной скоростью передачи данных (DDR SDRAM)

DDR SDRAM

  • Время на рынке: с 2000 года по настоящее время
  • Популярные продукты с использованием DDR SDRAM: память компьютера

DDR SDRAM работает как SDR SDRAM, только в два раза быстрее. DDR SDRAM способна обрабатывать две инструкции чтения и две записи за такт (следовательно,
«двойной»). Функция DDR SDRAM аналогична, и имеет физические различия (184 контакта и один паз на разъеме) по сравнению с SDR SDRAM (168 контактов и
две выемки на разъеме). DDR SDRAM также работает при низком стандартном напряжении (2,5 В от 3,3 В), предотвращая обратную совместимость с SDR SDRAM.

  • DDR2 SDRAM — это эволюционное обновление до DDR SDRAM. Несмотря на удвоение скорости передачи данных (обработка двух команд чтения и двух команд записи за
    такт), DDR2 SDRAM работает быстрее, поскольку может работать на более высоких тактовых частотах. Стандартные (не разогнанные) модули памяти DDR работают с
    частотой 200 МГц, тогда как стандартные модули памяти DDR2 работают с частотой 533 МГц. DDR2 SDRAM работает при более низком напряжении (1,8 В) с большим
    количеством контактов (240), что предотвращает обратную совместимость.
  • DDR3 SDRAM повышает производительность по сравнению с DDR2 SDRAM благодаря улучшенной обработке сигналов (надежности), большей емкости памяти, более низкому
    энергопотреблению (1,5 В) и более высоким стандартным тактовым частотам (до 800 МГц). Хотя DDR3 SDRAM имеет то же количество контактов, что и DDR2 SDRAM (240),
    все остальные аспекты препятствуют обратной совместимости.
  • DDR4 SDRAM повышает производительность по сравнению с DDR3 SDRAM благодаря более продвинутой обработке сигналов (надежности), еще большей емкости памяти, еще
    более низкому энергопотреблению (1,2 В) и более высоким стандартным тактовым частотам (до 1600 МГц). DDR4 SDRAM использует 288-контактную конфигурацию, что
    также предотвращает обратную совместимость.

DRAM-память (мировой рынок)

В настоящее время DRAM используется в большинстве современных компьютеров. Главное преимущество этого типа памяти заключается в чрезвычайно плотной упаковке ячеек, что позволяет создавать память большой ёмкости, при этом само устройство занимает очень мало места. Каждая ячейка это микро конденсатор, который удерживает заряды (наличием или отсутствием зарядов и кодируются биты информации). Главная проблема такой памяти это необходимость постоянно регенерировать заряд иначе конденсатор «стечёт», что приведёт к потере данных. За обновление которых и, следовательно, сохранность отвечает встроенный контролёр с частотой регенерации 15 мкс. В современных компьютерах, работающих на сверхвысоких частотах, процесс регенерации отнимает не более 1 % времени работы процессора. Поэтому нет смысла увеличивать время между циклами — на работу процессора это существенно не повлияет, и к тому же может привести к разрядке конденсатора и, как следствие, к потере данных.

Объём рынка DRAM-памяти в 2008 г. сократился на 19,8% до $25,2 млрд по сравнению с $31,5 млрд в 2007 г. Это произошло вследствие падения цен, сообщает purchasing.com со ссылкой на исследование iSuppli.

«Многие поставщики включились в гонку за рыночной долей, инвестируя значительные средства в дополнительное производственное оборудование, — комментирует Нэм Хьюнг Ким (Nam Hyung Kim), директор и главный аналитик iSuppli в области систем хранения данных и чипов памяти. – Одни компании надеялись, что другие выйдут из гонки, однако этого не произошло». В результате объемы производства были наращены значительно, а спрос упал. Память DRAM используется в ОЗУ.

  • 30% — доля Samsung. За последние восемь лет компания вложила в производство DRAM-памяти около $27 млрд, но это не помогло увеличить ее рыночную долю, которая в 2008 г. осталась на уровне 2000 г. (30%).
  • Компании Powerchip, Promos, Nanya и Qimonda плетутся в хвосте. Для того чтобы противостоять экономическому спаду 2008-2009 годов им потребовалась помощь правительства.

Линейный корабль «Конкуэрор» (H.M.S Conqueror)

Корпус 101-пушечного линейного корабля «Конкерор», построенного на верфи Девонпорт в 1855 году и принимавшего участие в Крымской войне, покоится на 10-метровой глубине у острова Рам-Ки, где он затонул в 1861 году, и охраняется в качестве экспоната Подводного музея Багамских островов.

В 1860 году винтовой трехдечный линейный корабль «Конкуэрор» был одним из новейших кораблей британских ВМС и занимал почётное место в боевом составе английского флота. 13 декабря 1861 года корабль затонул на рифе Саммер-Пойнт у острова Рам-Ки. Все 1400 членов его экипажа спаслись.

«Корабль имел ошибку счислимого места в 20 морских миль, и когда открылся берег, срезал слишком близко юго-восточную оконечность острова Рам-Ки и сел на риф. Капитан корабля, опасаясь, что команда (большинство моряков не умело плавать в те времена) напьётся до бесчувствия, когда станет очевидно, что корабль не спасти, приказал разбить все бочки с элем, вином и спиртным и вылить всё их содержимое. Затем он послал две самые большие (?) команды выгрузить всё, что можно было спасти и устроить лагерь на острове. Капитан оставался на борту с одним мичманом и десятью матросами до тех пор, пока корабль не разломился. После чего все, кроме команд шлюпок, остались на Рам-Ки. Команду спасли вскоре после того, как о кораблекрушении стало известно.»[источник не указан 2814 дней]
(Путеводитель по Багамским островам «The Bahamas Cruising Guide»)

Книги

  • Identification and Child Rearing (with R. Sears and L. Rau) (1962) Stanford University Press
  • The Psychedelic Experience: A Manual Based on the Tibetan Book of the Dead (with Timothy Leary and Ralph Metzner) (1964) ISBN 0-8065-1652-6
  • LSD (with Sidney Cohen) (1966) ISBN 0-453-00120-3
  • Be Here Now (1971) ISBN 0-517-54305-2
  • Doing Your Own Being (1973)
  • Grist for the Mill (with Steven Levine) (1977) ISBN 0-89087-499-9
  • Journey of Awakening: A Meditator’s Guidebook (1978) ISBN 0-553-28572-6
  • Miracle of Love: Stories about Neem Karoli Baba (1979) ISBN 0-525-47611-3
  • How Can I Help? Stories and Reflections on Service (with Paul Gorman) (1985) ISBN 0-394-72947-1
  • Compassion in Action: Setting Out on the Path of Service (with Mirabai Bush) (1991) ISBN 0-517-57635-X
  • Still Here: Embracing Aging, Changing and Dying (2000) ISBN 1-57322-871-0
  • Paths to God: Living The Bhagavad Gita (2004) ISBN 1-4000-5403-6
  • Be Love Now (with Rameshwar Das) (2010) ISBN 1-84604-291-7
  • Polishing the Mirror: How to Live from Your Spiritual Heart (with Rameshwar Das) (2013) ISBN 1-60407-967-3

    Полировка зеркала. Как жить из своего духовного сердца (в соавторстве с Рамешвар Дасом) (2014) ISBN 978-5-91271-108-4

Экономика

Во второй половине XIX века население острова достигало пяти тысяч человек

Важное место в экономике острова занимали выращивание ананасов, добыча соли и производство сизаля, но конкуренция и стихийные бедствия, вроде урагана года, сделали своё дело, и сегодня основным занятием на острове является туризм. Границы плантаций, называемые «межами», можно видеть по всему острову

Эти плантации относятся к началу XIX века, когда здесь поселились лоялисты. В наши дни почти все островитяне живут в деревне Порт-Нельсон, где можно снять в аренду коттедж. Такие поселения, как Порт-Бойд (Port Boyd), Блэк-Рок (Black Rock) и Джин-Хилл (Gin Hill) в настоящее время заброшены.

Сколько вам нужно ОЗУ: рекомендации

Если свести рекомендации по выбору оперативной памяти для разных устройств, то получится следующее:

  • 2 Гб используется в основном в планшетах и смартфонах;
  • 4 Гб подходит для работы MacOS (которая есть только в ноутбуках и моноблоках компании Apple), а также для недорогих систем на базе «Виндоус», хороший выбор для офисного ноутбука;
  • 8 Гб – продуктивное решение большинства задач;
  • 16 Гб – игровой вариант, но в скором времени может потребовать модернизации, а также выбор для специалистов, работающих с ресурсоемкими приложениями;
  • 32 Гб и более – для вас, если вы хотите стать профессиональным игроком или покупаете рабочую станцию для выполнения сверхтяжелых задач.

Дополнительно можно обратить внимание на такой параметр, как тактовая частота оперативной памяти. Измеряется он в мегагерцах (частота обмена данными процессора и ОЗУ)

Если же планка выбирается для модернизации системы и дополнения установленного ОЗУ, необходимо отдать предпочтение элементу с аналогичной частотой. Если использовать планку с высокой частотой, то ее преимущества будут минимизированы. Если же взять ОЗУ с низким показателем, то оно не даст имеющейся планке работать на всю мощь.

Следует учитывать при выборе тип установленного жесткого диска: даже 16 Гб ОЗУ не дадут нужной производительности при отсутствии SSD (твердотельного накопителя). Не менее важен и такой показатель, как разрядность системы. ОС 32 бит «не видит» RAM больше 4 Гб.

Для планшета

Планшеты с 3 гигабайтами оперативной памяти считаются сверхпроизводительными и мощными. Они не тормозят в играх, позволяют быстро работать в сети и запускать множество других приложений.

Если устройство используется для работы с почтой, браузером, офисными приложениями, просмотра фильмов, то 2 Гб ему хватит «за глаза». Большее значение будет иметь количество ядер процессора и вместимость жесткого диска.

Выбор ОЗУ для ноутбуков

Ноутбуки, цена которых начинается от 50 тысяч рублей, оснащаются 4 – 8 Гб оперативной памяти. Эти модели достаточно производительны и легко заменяют мультимедийный домашний ПК.

Игровые модели оснащаются в основном 16 Гб ОЗУ, но встречаются варианты с 32 Гб. Они относятся к профессиональным ноутбукам для игроков или решения особых рабочих задач.

Стационарные компьютеры

Требования для настольных компьютеров мало чем отличаются от того, что нужно для нормальной работы ноутбука. Для тех, кто не увлекается графической редакцией, тяжеловесными играми, 4 Гб вполне достаточно. Но для более комфортной работы с заделом «на будущее» лучше обзавестись ОЗУ 8 Гб.

Примечания

  1. «She was 20 nm out in estimating her position and, after making her landfall, cut rounding the southeast point of Rum Cay too fine and went hard on the reef. Her captain, fearing that his crew (most of whom could not swim in those days) would drink themselves insensible when it became obvious the ship was lost, ordered all ale, wine, and spirit casks to be broken and their contents ditched. He then sent the two largest (?) ship’s company unloaded everything they could salvage, and set about making a camp on the island. The captain remained on board with one midshipman and ten seamen until the ship broke up. Then all of them, less the boat parties, were marooned on Rum Cay. They were rescued soon after the news of the disaster was known.» (The Bahamas Cruising Guide)
Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector